顧名思義，內(nèi)存頻率就是內(nèi)存的工作頻率，即是速度，速度這東西當(dāng)然是越快越好了。就好比你的車開得越快速度肯定越高一樣。但這也需要和系統(tǒng)配合，車的最快時(shí)速再高但是受路面限制的話還是無法發(fā)揮最佳性能的。同時(shí)需要注意的是，車開得越快安全系數(shù)也越低，高速內(nèi)存也會(huì)導(dǎo)致延遲增長。
內(nèi)存延遲：
內(nèi)存延遲時(shí)間決定了內(nèi)存的性能，這個(gè)參數(shù)越小，內(nèi)存性能越好。內(nèi)存延遲通常采用4個(gè)數(shù)字表示，中間用“-”隔開，以“5-4-4-12”為例，第一個(gè)數(shù)代表CAS(Column Address Strobe)延遲時(shí)間，也就是內(nèi)存存取數(shù)據(jù)所需的延遲時(shí)間，即通常說的CL值；第二個(gè)數(shù)代表RAS(Row Address Strobe)-to-CAS延遲，表示內(nèi)存行地址傳輸?shù)搅械刂返难舆t時(shí)間；第三個(gè)數(shù)表示RAS Prechiarge延遲（內(nèi)存行地址脈沖預(yù)充電時(shí)間）；最后一個(gè)數(shù)則是Act-to-Prechiarge延遲（內(nèi)存行地址選擇延遲）。這4個(gè)延遲中最重要的指標(biāo)是第一個(gè)參數(shù)CAS，它代表內(nèi)存接收到一條指令后要等待多少個(gè)時(shí)間周期才能執(zhí)行任務(wù)，就像開車從發(fā)現(xiàn)危險(xiǎn)到剎車一樣需要一定的反應(yīng)時(shí)間。這個(gè)時(shí)間只有長短之分而不可能消除，內(nèi)存的CL值也不可能消除，一般來說頻率相同的內(nèi)存CL值越小性能就越高。
